原采用的補(bǔ)償技術(shù)基本是靜態(tài)的，即均以電磁型交流接觸器為投切開關(guān)，由于受電容器承受涌流能力、放電時間及電容器分級，以及接觸器操作頻率、使用壽命等因素制約，因而存在許多不盡人意之處：

①不能抑制諧波，容易引起電容器與系統(tǒng)串聯(lián)、并聯(lián)諧振，造成電容器過電流或過電壓，發(fā)生爆炸事故，導(dǎo)致總閘跳閘。

②機(jī)械觸點(diǎn)動作速度慢，對快速頻繁波動的沖擊性負(fù)荷產(chǎn)生的無功功率不能有效補(bǔ)償，不能解決這種負(fù)荷所帶來的電壓不穩(wěn)定、閃爍變化、系統(tǒng)網(wǎng)損和降低變壓器帶載容量等問題。

③接觸器頻繁投切電容器過程中，時常引起較嚴(yán)重的電流涌流和操作過電壓現(xiàn)象，嚴(yán)重影響了裝置自身的使用壽命。

④投切時間不能控制，造成火花干擾，投切過程產(chǎn)生拉弧，多次動作后容易使結(jié)點(diǎn)粘連、燒毀，造成電容器死投在電網(wǎng)上，在夜間輕載情況下，迫使末端電壓升高，燒毀用電設(shè)備。

 而采用可控硅開關(guān)則能夠很好地解決這些麻煩。它是由晶閘管為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，通過對晶閘管的控制來實(shí)現(xiàn)電容器的“投入”與“切除”，從而實(shí)現(xiàn)“過零投切”，即“在電壓的過零投入”，在“電流過零點(diǎn)”切除。主要有以下兩大優(yōu)勢：

第一，晶閘管開關(guān)投切速度快，在20ms內(nèi)完成投切（各品牌產(chǎn)品有差異，但這個20ms是保底數(shù)據(jù)），可以滿足負(fù)載快速變化的應(yīng)用場合，做到無功補(bǔ)償系統(tǒng)對負(fù)載變化的快速補(bǔ)償，補(bǔ)償效果更佳；

第二，抑制涌流效果非常好，其可以把涌流抑制在3倍額定電流以下，保證設(shè)備和系統(tǒng)的安全。從這兩個方面來講，晶閘管開關(guān)是要優(yōu)于電容器投切專用接觸器的。

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