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YS系列低壓智能電容器是以二臺(△型)或一臺(Y型)低壓電力電容器為主體,采用微電子軟硬件技術、微型傳感技術、微型網(wǎng)絡技···
本公司生產的自愈式并聯(lián)電力電容器,采用目前國際先進的鋅鋁復合金屬化膜,引進國外先進的生產工藝、技術及日本、韓國的先進設備···
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可控硅被擊穿主要有以下三點:
過壓擊穿:
過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一,可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的,即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的,因此實際應用電路中,在可控硅兩端一定要接入吸收回路,以避免各種無規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經常發(fā)生可控硅擊穿,請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
過流與過熱擊穿:
其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內部產生熱效應,使芯片溫度升高,當芯片溫度達到175℃時芯片就會失效且不能恢復。在正常的使用條件下,只要工作電流不超過可控硅額定電流是不會發(fā)生這種熱擊穿的,因為過流擊穿原理是由于溫度升高所引起的,而溫度升高的過程是需要一定時間的,所以在短時間內過流幾百毫秒到幾秒時間一般是不會擊穿的。
這里所說的過熱擊穿是指在工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿,發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導致?lián)舸?。對于采用水冷方式工作的,主要檢查進水溫度是否過高一般要求水溫應在25℃以下,但最高不能超過35℃,流量是否充足,對于采用風冷方式工作的,應檢查風扇的轉數(shù)是否正常,還有環(huán)境溫度也不能太高等,但無論是風冷的還是水冷的,如果你在更換可控硅時只是更換了芯片的話,安裝時要注意芯片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸,接觸面要平整,不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入,還要保證有足夠且均勻的壓力,特別是對水冷的可控硅,三個螺栓的拉力一定要均勻,并且還要經常檢查和清理水垢,水垢太多也會影響散熱效果導致過熱擊穿的。另外如果多次更換芯片也會導致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果,如果您的機器上的某只可控硅經常擊穿又找不到其他原因的話,就應該考慮在更換可控硅時連同散熱器一齊更換。
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